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ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
HiPerFET TM
IXFH 60N20
V DSS
= 200 V
I D25
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
IXFT 60N20
= 60 A
R DS(on) = 33 m ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
200
200
± 20
V
V
V
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
60
240
60
50
2.5
V
A
A
A
mJ
J
TO-268 ( IXFT) Case Style
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
5
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
300
W
T J
T JM
T stg
-55 to +150
150
-55 to +150
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-247
6
g
Features
TO-268
4
g
l
International standard packages
l
l
l
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS)
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Advantages
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
200
V
l
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
2.0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.0
± 100
25
1
V
nA
μ A
mA
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
33
m ?
? 2001 IXYS All rights reserved
98845 (6/01)
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